![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.4.2 本征等效电路模型
图2.18给出了八边形片上螺旋电感的等效电路模型,虚线框内为本征基本单元,L0表示本征电感,R1表示损耗电阻,电阻R2和电感L1的并联结构用来模拟趋肤效应。基本单元的Y参数可以表示为:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_25.jpg?sign=1738936090-IFBk1452Us3GpyHArToBUgRv5nxUrvin-0-a1df981d67352ffd844ee354ac2329aa)
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_26.jpg?sign=1738936090-mHv3ZUUe3d6hvK3rCS6RELvpMP9Ate9f-0-056104f42fbdc34be0ebdb406f76a0d0)
图2.18 八边形片上螺旋电感的等效电路模型
在低频段,电感L0和L1之和可以通过1/Yint的虚部获得:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_27.jpg?sign=1738936090-5IWx8Kynee97JyFz5n7f5Rp4GFwngtUb-0-c046a95aec0bffe328664aa5fc2ff1a6)
电阻R1可以由1/Yint的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_28.jpg?sign=1738936090-mDaoZX12hIPvRsyptxYttYNAErVLgD9b-0-9b54aba05b19eed67813df6644b64f77)
削去R1+jω(L0+L1)后可以得到:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_29.jpg?sign=1738936090-ZRFJqjXADgDJ5sRBdYa04c0Y4kMgK7JG-0-a8dcc019198a1382a1fc38fb79a3a042)
这样电阻R2和电感L1可以由下面的公式直接确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_30.jpg?sign=1738936090-CKmwwyXvuoTTXsCWb4OScQ5HFEc1ZTxW-0-d796ac9a08ae488268e2222ee2ad5d01)
这里:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_31.jpg?sign=1738936090-kny3TTNVkDs3yIqFAwEpbIyVVG4k3pix-0-3c12e4152fef0ad50f42e5c42d736425)
由于本征基本单元在整个模型中占主导地位,而衬底效应模型元件不能直接通过解析式确定,所以需要后续优化。因此上述方法可以被视为一个后续优化过程的最初假设,通过该过程可以得到最终的模型参数。